关于MicroLED，LG在美国拉斯维加斯的CES上展示其全球第一款AMMicroLED。在此前的“CES中，三星已经推出其MicroLED电视”THEWALL，如下图所示，这款产品的尺寸是英寸。
三星THEWALL
在更早的“CES”上，索尼就推出了以片MicroLED拼接而成的CLEDIS显示器。但无论是这里说到的三星还是索尼的产品，其采用的都是PM（PassiveMatrix）技术，其背板技术无论是在其本身工艺上还是在“巨量转移”上，难度较LG推出的AM（ActiveMatrix）技术小不少。
索尼CLEDIS
那么，MicroLED的产品是不是马上就会走进我们的生活中呢？这里让我们来谈一谈这个技术。
二.什么是MicroLED
MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
而MicroLEDdisplay，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏，也就是所说的LED显示屏的缩小版。
MicroLED的像素单元在微米（P0.1）以下，并被高密度地集成在一个芯片上。微缩化使得MicroLED具有更高的发光亮度、分辨率与色彩饱和度，以及更快的显示响应速度，预期能够应用于对亮度要求较高的增强现实（AR）微型投影装置、车用平视显示器（HUD）投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实（VR）、光通讯/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领域。
顾名思义，MicroLED就是“微”LED，作为一种新显示技术，与其它显示技术，比如LCD，OLED，PDP，其核心的不同之处在于其采用无机LED作为发光像素。对于“Micro”这个概念，到底定义是多少呢？像素尺寸一般要到μm以下。
LED并不是一个新事物，作为发光二极管，其在显示上的应用本应该是顺理成章的事情。但是很长一段时间，除了户外广告屏上的应用之外，LED显示应用一直不能发展起来，其原因是：
a.要做到手机屏/电视这种级别的显示器，LED像素在尺寸上难以做小；
b.LED外延晶片与显示驱动工艺不兼容，且需考虑大尺寸显示的问题，所以针对MicroLED需要开放合适的背板技术。
c.如何将“巨量”的三色微小LED转移到制作好驱动电路的基底上去，即“巨量转移”技术，也是决定MicroLED能否商业的关键。
由于像素单元低至微米量级，MicroLED显示产品具有多项性能指标优势。MicroLED功率消耗量仅为LCD的10%、OLED的50%，其亮度可达OLED的10倍，分辨率可达OLED的5倍。
在设备兼容性方面，MicroLED有望承接液晶显示高度成熟的电流驱动TFT技术，在未来显示技术演进进程中具有一定优势。根据LEDinside预估，年MicroLED显示的市场销售额将达到6.94亿美元，略高于MiniLED显示。MicroLED与LCD、OLED和量子点LED（QLED）显示的性能比较如下表所示：
1、MicroLED显示原理系将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1~10μm等级左右；后将μLED批量式转移至电路基板上（含下电极与晶体管），其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上；再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成一结构简单的MicroLEDDisplay。
2、MicroLED典型结构PN接面二极管，由直接能隙半导体材料构成。当上下电极施加一顺向偏压于μLED，致使电流通过时，电子、电洞对于主动区（Activeregion）复合，而发射出单一色光。μLED发光频谱其主波长的半高全宽FWHM仅约20nm，可提供极高的色饱和度，通常可大于%NTSC。且自年后LED光电转换效率大幅提高，lm/W以上的LED已成量产之标准。而在MicroLEDDisplay的应用上，为自发光的显示特性，辅以几乎无光耗元件的简易结构，故可轻易达到低能耗（10%~20%TFT-LCD能耗）或高亮度（0nits以上）的显示器设计。
即可解决目前显示器应用的两大问题，一是穿戴型装置、手机、平板等设备，有8成以上的能耗在于显示器上，低能耗的显示器技术可提供更长的电池续航力；一是环境光较强（例：户外、半户外）致使显示器上的影像泛白、辨识度变差的问题，高亮度的显示技术可使其应用的范畴更加宽广。
3、Micro显示原理像素结构MicroLED显示一般采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例，MicroLED像素单元结构从下往上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱（MQW）的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。
像素单元加正向偏电压时，P型GaN接触层的空穴和N型GaN层的电子均向有源层迁移，在有源层电子和空穴发生电荷复合，复合后能量以发光形式释放。与传统LED显示屏相比，MicroLED具有两大特征，一是微缩化，其像素大小和像素间距从毫米级降低至微米级；二是矩阵化和集成化，其器件结构包括CMOS工艺制备的LED显示驱动电路和LED矩阵阵列。阵列驱动InGaN基MicroLED的像素单元一般通过以下四个步骤制备。第一步通过ICP刻蚀工艺，刻蚀沟槽至蓝宝石层，在外延片上隔离出分离的长条形GaN平台。
第二步在GaN平台上，通过ICP刻蚀，确立每个特定尺寸的像素单元。第三步通过剥离工艺，在P型GaN接触层上制作Ni/Au电流扩展层。第四步通过热沉积，在N型GaN层和P型GaN接触层上制作Ti/Au欧姆接触电极。
其中，每一列像素的阴极通过N型GaN层共阴极连接，每一行像素的阳极则有不同的驱动连接方式，其驱动方式主要包括被动选址驱动（PassiveMatrix，简称PM，又称无源寻址驱动）、主动选址驱动（ActiveMatrix，简称AM，又称有源寻址驱动）和半主动选址驱动三种方式。其中，被动选址驱动是把像素电极做成矩阵型结构，每一列（行）像素的阳（阴）极共用一个列（行）扫描线，两层电极之间通过沉积层进行电学隔离，以同时选通第X行和第Y列扫描线的方式来点亮位于第X行和第Y列的LED像素，高速逐点（或逐行）扫描各个像素来实现整个屏幕画面显示的模式。主动选址驱动模式下，每个MicroLED像素有其对应的独立驱动电路，驱动电流由驱动晶体管提供。
基本的主动矩阵驱动电路为双晶体管单电容电路。每个像素电路中，选通晶体管用来控制像素电路开关，驱动晶体管与电源连通为像素提供稳定电流，存储电容用来储存数据信号。为了提高灰阶等显示能力，可以采用四晶体管双电容电路等复杂的主动矩阵驱动电路。半主动选址驱动方式采用单晶体管作为MicroLED像素的驱动电路，从而可以较好地避免像素之间的串扰现象。半主动驱动由于每列驱动电流信号需要单独调制，性能介于主动驱动和被动驱动之间。4芯片制备与LED显示相同，MicroLED芯片一般采用刻蚀和外延生长（Epitaxy，又称磊晶）的方式制备。芯片制作流程主要包括以下几步：
衬底制备，用有机溶剂和酸液清洗蓝宝石衬底后，采用干法刻蚀制备出图形化蓝宝石衬底。
中间层制备，利用MOCVD进行气相外延，在高温条件下分别进行GaN缓冲层、N型GaN层、多层量子阱、P型GaN层生长制备。
台阶刻蚀，在外延片表面形成图形化光刻胶，之后利用感应耦合等离子体刻蚀（ICP）工艺刻蚀到N型GaN层。
导电层制备，在样品表面溅射氧化铟锡（ITO）导电层，光刻形成图形化ITO导电层。五是绝缘层制备，利用等离子体增强化学的气相沉积法（PECVD）沉积形成SiO2绝缘层，之后经光刻和湿法刻蚀。
电极制备，采用剥离法等方法制备出图形化光刻胶，电子束蒸发Au后利用高压剥离机对光刻胶进行剥离。
5、MicroLED背板从应用来看，大尺寸显示器显示屏因显示面积大以至于画素间距也较大，在背板的选用上会有PCB与Glass的选择。中型尺寸的车用显示器则不使用线宽线距较大的PCB，而以线宽线距极限略小于PCB的Glass以及FPC为主。
小尺寸的手机与手表以适合中小型显示需求的玻璃与FPC的背板为主。在微投影与显示的扩增实境/虚拟实境的背板显示需求将会微缩至30μm等级以下，因此将会以可微缩线宽线距半导体制程的SiCMOS背板为主，并背搭配眼镜需透光的需求也会有光学式FPC的应用需求。从基板材质看，MicroLED芯片和背板的键合的基材主要有PCB、玻璃和硅基。
根据线宽、线距极限的不同，可以搭配不同的背板基材。其中，PCB基板的应用最为成熟。另外CMOS工艺，其采用键合金属实现LED阵列与硅基CMOS驱动背板的电学与物理连接。制作过程中，首先在CMOS驱动背板中通过喷溅工艺热沉积和剥离工艺等形成功能层，再通过倒装焊设备即可实现LED微显示阵列与驱动背板的对接。
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